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追赶台积电!日本Rapidus冲刺先进製程 1.4奈米厂2027年动工

作者:舞夢輝影 | 点击: | 来源:舞夢輝影
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2025
随着半导体製程技术持续演进,台积电预计将于2028年下半年突破2奈米关卡,并在同年启动1.4奈米晶圆的生产计划。据悉,台积电将为此新建四座晶圆厂,初期投资高达490亿美元。与此同时,日本新兴半导体企业Rapidus也不甘示弱,传出将在2027年动工兴建同为1.4奈米制程的先进晶圆厂,并规划在同一基地推进更先进的1奈米芯片研发,尽管后者尚属中长期目标。政府与产业联盟齐力支援Rapidus加速挑战顶尖製程据《日经亚洲》报导,Rapidus计划在日本北海道——该国第二大岛屿——展开1.4奈米晶圆厂的建...

随着半导体製程技术持续演进,台积电预计将于2028年下半年突破2奈米关卡,并在同年启动1.4奈米晶圆的生产计划。据悉,台积电将为此新建四座晶圆厂,初期投资高达490亿美元。与此同时,日本新兴半导体企业rapid

us也不甘示弱,传出将在2027年动工兴建同为1.4奈米制程的先进晶圆厂,并规划在同一基地推进更先进的1奈米芯片研发,尽管后者尚属中长期目标。

政府与产业联盟齐力支援 Rapidus加速挑战顶尖製程

据《日经亚洲》报导,Rapidus计划在日本北海道——该国第二大岛屿——展开1.4奈米晶圆厂的建设。该公司正积极对标台积电的发展节奏,预计在2026年前后启动下一代制程节点的研发工作。

实现如此宏大的技术蓝图需要庞大的资金支撑,而Rapidus已获得强力支持。日本政府不仅将其视为国家战略项目,更联合索尼(Sony)、丰田(Toyota)等重量级企业共同注资,总计承诺投入达100亿美元(约1.7兆日圆),为其技术研发与建厂提供坚实后盾。

尚未迈入量产阶段 良率难题成关键挑战

尽管资金到位,Rapidus仍必须克服所有先进制程厂商都会面临的严峻考验——良率提升。虽然目前并无公开的良率数据,但业界普遍认为,如何实现稳定且高效率的大规模生产,将是Rapidus能否成功的关键瓶颈。

截至目前,Rapidus尚未正式进入2奈米晶圆的全面量产阶段,其目标是在2027年实现规模化制造。不过,今年早前已有消息称,该公司已达成一项虽小却具指标意义的进展:成功试产采用GAA(环绕式闸极)架构的2奈米制程芯片。

在先进制程竞赛中,台积电无疑是Rapidus最强大的对手,但三星(Samsung)同样不容忽视。据报道,这家韩国半导体巨头已于今年三月装设由ASML打造、专用于1.4奈米芯片生产的高数值孔径EUV(High-NA EUV)光刻机,逐步布局下世代製程战线。

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