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存储现货年内涨超4倍 手机厂库存跌至历史低位:将被迫减配涨价

作者:霞舞 | 点击: | 来源:霞舞
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2025
12月8日快讯,财联社消息显示,存储芯片市场正迎来史无前例的“超级涨价潮”:DRAM颗粒年内价格飙升超400%,NANDFlash报价亦接近翻三倍。受AI服务器订单强势抢占晶圆产能影响,面向消费电子的存储芯片供应持续收紧,终端厂商普遍面临库存告急、被迫高价补货的被动局面。业内预判,后续消费电子产品将呈现“售价上扬、存储缩水”的双重调整趋势。酷赛智能方面指出,4GBDDR4颗粒现货价格已由年初约7美元跃升至11月中旬的30美元以上,涨幅达4–5倍;64GBeMMC则从3.2美元涨至逾8美元,Fla...

12月8日快讯,财联社消息显示,存储芯片市场正迎来史无前例的“超级涨价潮”:dram颗粒年内价格飙升超400%,nand flash报价亦接近翻三倍。

受AI服务器订单强势抢占晶圆产能影响,面向消费电子的存储芯片供

应持续收紧,终端厂商普遍面临库存告急、被迫高价补货的被动局面。业内预判,后续消费电子产品将呈现“售价上扬、存储缩水”的双重调整趋势。

酷赛智能方面指出,4GB DDR4颗粒现货价格已由年初约7美元跃升至11月中旬的30美元以上,涨幅达4–5倍;64GB eMMC则从3.2美元涨至逾8美元,Flash全品类平均涨幅逼近300%。

11月初,闪迪率先宣布全线调涨50%,三星部分消费级存储产品随即跟进,涨幅超60%,短期内如此剧烈的价格跃升远超产业链原有预期。

更值得关注的是,美光正式宣布关停旗下消费级子品牌英睿达(Crucial)的内存条与SSD业务,全面收缩资源,集中投向AI数据中心等高附加值、高增长赛道,加速抢占AI存储核心市场。

此举进一步加剧供需失衡,当前主流智能手机厂商的存储芯片库存周期普遍压缩至4周以内,显著低于行业公认的8–10周安全水位线。

多家分析机构研判,此轮低库存并非厂商主动去化所致,而是年初基于偏谨慎的需求预判未及时备货,叠加当前现货价格畸高、渠道货源极度稀缺,迫使厂商只能无奈接受高价采购。

展望未来,手机主流配置或出现回调——如从当前主流的12GB+512GB,逐步回归至8GB/12GB+256GB组合,延续多年的存储容量“倍增逻辑”或将阶段性终结;与此同时,整机提价已成大概率事件。

小米集团总裁卢伟冰在近期财报电话会上坦言:“内存成本的暴涨已超出定价传导能力,即便上调终端售价也难以完全覆盖成本压力”,并预计明年新机零售价将迎来明显上涨。

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